Арсенид галлия — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для …
Получить ценуСложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия (AlAs) или тройными растворами AlxGa1-xAs (гетероструктуры) можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии ...
Получить ценуВ соединении галлий имеет степень окисления +03 . Монокристаллы арсенида галлия могут быть получены тремя промышленными способами: Процесс вертикального градиентного замораживания (VGF) (большинство пластин GaAs производится с использованием этого процесса).
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных ...
Получить цену8.1. Физические свойства арсенида галлия. (см. скан) (см. скан) Диаграммы фазового равновесия в системе галлий — мышьяк показаны на рис. 8.3, кристаллическая структура арсенида галлия — на рис. 8 ...
Получить ценуЧалдышев, Владимир Викторович. Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04. ...
Получить ценуПодложки арсенида галлия с низкой плотностью дислокаций используются для изготовления горизонтально и вертикально излучающих светодиодных и лазерных структур, фотоприемных устройств, в том числе матричных ...
Получить ценуШирокое использование арсенида галлия (прежде всего в производстве полупроводников) с начала 80-х годов прошлого столетия привело к увеличению риска интоксикации этим элементом не только работников электронной промышленности, но и населения, поскольку методы утилизации и рециркуляции отходов, содержащих …
Получить цену(54) ПАССИВИРУЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ПОДЛОЖЕК ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (21) Номер заявки: a 19980235 (22) 1998.03.12 (46) 2003.09.30 (71) Заявитель: Учреждение образования "Белорусский государственный уни-
Получить ценуПодложки арсенида галлия. в Москве. Компания МегаКЛАССИК, ООО на BizOrg.su, ID 2193279.
Получить ценуЛелеков, Михаил Александрович. Разработка и исследование координатных детекторов на арсениде галлия для цифровых рентгеновских аппаратов: дис. кандидат технических наук: 01.04.04 - …
Получить ценуУдельная скорость растворения арсенида галлия существенно возрастает в смесях кислот. При нагреве на воздухе до 300 о С арсенид галлия не окисляется. Арсенид галлия относится к числу ...
Получить ценуПодложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала. Общие свойства:
Получить ценуТемпература диссоциации арсенида галлия определяется тонкой пересечения кривой давления паров галлия с кривой давлений As 2 . С учетом точности измерений малых давлении температура начала ...
Получить ценуАрсенид галлия используется в производстве сверхвысокочастотных электронных компонентов. На основе Арсенида галлия выпускается широкий ассортимент высокочастотных диодов ( диод Ганна, туннельный диод ), транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, интегральных схем, а так же фотоприёмников и детекторов …
Получить ценуСложные многоуровневые структуры. арсенида галлия в сочетании с арсенидом алюминия (AlAs) или сплавом Al x Ga 1-x As можно выращивать с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) или с ...
Получить ценуСложные слоистые структуры арсенида галлия в комбинации с арсенидом алюминия (AlAs) или тройными растворами AlxGa1-xAs (гетероструктуры) можно вырастить с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии ...
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных ...
Получить ценуизготовление подложек арсенида галлия стандарта «epi-ready» и рециклинг пластин, МОС-гидридной эпитаксия структур слоев на основе А3В5, квазиимпульсный отжиг структур в вакууме в остаточной атмосфере водорода, кислорода, арсина, азота; разработка изделий сенсорной техники; разработка и изготовление …
Получить ценуЛелеков, Михаил Александрович. Разработка и исследование координатных детекторов на арсениде галлия для цифровых рентгеновских аппаратов: дис. кандидат технических наук: 01.04.04 - …
Получить ценуШирокое использование арсенида галлия (прежде всего в производстве полупроводников) с начала 80-х годов прошлого столетия привело к увеличению риска интоксикации этим элементом не только ...
Получить цену(54) ПАССИВИРУЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ПОДЛОЖЕК ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ (21) Номер заявки: a 19980235 (22) 1998.03.12 (46) 2003.09.30 (71) Заявитель: Учреждение образования "Белорусский государственный уни-
Получить ценуПодложки арсенида галлия. в Москве. Компания МегаКЛАССИК, ООО на BizOrg.su, ID 2193279.
Получить ценуВ России работы по созданию и исследованию полуизолирующих слоев арсенида галлия и разработка приборов на их основе начались в 70-х годах в Томске в Сибирском физико-техническом институте ...
Получить ценуВысокочистый галлий является компонентом соедине- ний GaN и А3В5– арсенида галлия, фосфида галлия – ос- новных материалов для современной оптоэлектроники и микроэлектроники. Также галлий входит в состав CIGS (селенид меди, индия-галлия) и IGZO (оксид цинка, индия- галлия) – полупроводниковых соединений …
Получить ценуУдельная скорость растворения арсенида галлия существенно возрастает в смесях кислот. При нагреве на воздухе до 300 о С арсенид галлия не окисляется. Арсенид галлия относится к числу ...
Получить цену8.1. Физические свойства арсенида галлия. (см. скан) (см. скан) Диаграммы фазового равновесия в системе галлий — мышьяк показаны на рис. 8.3, кристаллическая структура арсенида галлия — на рис. 8 ...
Получить ценуТехнология выращивания арсенида галлия методом жидкофазной эпитаксии хорошо отработана для получения сравнительно тонких слоев - не больше нескольких десятков микрометров, так как в ...
Получить ценуСпектры пропускания арсенида галлия, кремния и германия. Арсенид галлия используется нами для изготовления окон, линз и призм, применяющихся в …
Получить ценуВ обозначении марки GaAs указывают вид материала (АГ – арсенид галлия), способ получения (Ч – по методу Чохральского, Н – методом направленной кристаллизации), вид легирующей примеси (Ц – цинк, …
Получить ценуАрсенид галлия используется в производстве сверхвысокочастотных электронных компонентов. На основе Арсенида галлия выпускается широкий ассортимент высокочастотных диодов (диод Ганна, туннельный диод), транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, интегральных схем, а так же фотоприёмникови детекторов ядерных из…
Получить ценуЧасто используются кристаллы арсенида галлия с примесями, которые, будучи введенными в кристаллическую решетку, могут занимать места как галлия, так и …
Получить ценуПодложки из арсенида галлия гораздо сложнее для изготовления и примерно впятеро дороже, чем кремниевые, что ограничивает применение этого материала. …
Получить ценуАрсенид галлия (GaAs) Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ …
Получить ценуизготовление подложек арсенида галлия стандарта «epi-ready» и рециклинг пластин, МОС-гидридной эпитаксия структур слоев на основе А3В5, …
Получить ценуАрсенид галлия — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для …
Получить ценуМетоды получения кристаллов арсенида галлия В промышленном производстве монокристаллов GaAs используются три метода выращивания: — метод …
Получить ценуПостоянная решётки арсенида галлия (GaAs) всего на 0,08 % отличается от таковой у германия. Замещение всего 1,5 % Ga в GaAs на In обеспечивает практически идеальное согласование …
Получить цену
